德國倍加福P+F齊納屏障模塊請注意：

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P+F齊納屏障模塊工作原理與應用的探討 

一、引言 齊納屏障模塊在電子設備中扮演著重要的角色，特別是在保護電路免受電位差干擾方面。本文將深入探討齊納屏障模塊的工作原理，并對其在電路保護中的應用進行闡述。

二、齊納屏障模塊的工作原理 齊納屏障模塊通常由半導體材料制成，如硅（Si）或鍺（Ge）。這些材料在特定電壓下能產(chǎn)生非線性電阻（NARROW RESISTANCE REGION），這就是齊納二極管的本質(zhì)。這種特性使得齊納二極管能有效地限制電流通過的電壓，當電路中的電位差過大時，它能吸收過電壓的能量，阻止它傳遞給電路中的其他部分。 此外，當通過齊納二極管的電流增加時，它的正向壓降也相應地減小，從而實現(xiàn)能量的分散。然而，一旦電壓降接近最大允許電壓（通常由材料特性決定），二極管的性能就會顯著下降，這意味著過電壓的能量將得到有效的抑制。這就是齊納屏障模塊的關鍵作用：通過控制電流和電壓，有效地防止電路中的電位差過大。 

三、齊納屏障模塊的應用 齊納屏障模塊在許多電子設備中都有應用，包括但不限于電源保護、通信設備、微處理器保護等。它們通常被安裝在電路板的邊緣，以防止電路板上的其他部分受到過電壓的影響。 在電源保護中，齊納屏障模塊可以用來吸收電源線上的浪涌電壓，從而保護電子設備免受這些電壓的影響。在通信設備中，齊納屏障模塊可以防止電磁干擾（EMI）干擾信號的傳輸。而在微處理器保護中，齊納屏障模塊能夠防止微處理器受到過電壓的影響，從而確保其正常工作。

產(chǎn)品展示
Z713 齊納屏障 1通道，直流版本，正極性，工作電壓13.7 V，10 µA，大串聯(lián)電阻。29Ω，保險絲額定值160 mA，DIN導軌安裝，通道數(shù)：1通道
Z715 齊納屏障 1通道，直流版本，正極性，工作電壓13 V，10 µA，大串聯(lián)電阻。107Ω，保險絲額定值為100 mA，DIN導軌安裝，通道數(shù)：1通道
Z728 齊納屏障 1通道，直流版本，正極性，工作電壓26.5 V，10 µA，大串聯(lián)電阻。327Ω，保險絲額定值為50 mA，DIN導軌安裝，通道數(shù)：1通道
Z728.H 齊納屏障 1通道，直流版本，正極性，工作電壓26.5 V，10 µA，大串聯(lián)電阻。250Ω，保險絲額定值為80 mA，DIN導軌安裝，大功率版本，通道數(shù)：1通道

德國倍加福P+F齊納屏障模塊參數(shù)表節(jié)選：的技術(shù)參數(shù)

一般規(guī)格
類型		DC版本，正極
電氣規(guī)格
標稱電阻		22Ω
串聯(lián)電阻		高 29歐
保險絲等級		160毫安
危險區(qū)域連接
連接		1、2號航站樓
安全區(qū)域連接
連接		7、8號航站樓
工作電壓
	供應回路	高 14.1伏
	測量回路	高 10 µA時為13.7 V
一致性
防護等級		IEC 60529
環(huán)境條件
環(huán)境溫度		-20 ... 60°C（-4 ... 140°F）
貯存溫度		-25 ... 70°C（-13 ... 158°F）
相對濕度		高 75％，無凝結(jié)
機械規(guī)格
防護等級		IP20
連接		螺絲端子
核心截面		高 2 x 2.5 ...毫米2
彌撒		大約 150克
外型尺寸		12.5 x 115 x 110毫米（0.5 x 4.5 x 4.3英寸）
施工類型		模塊化端子外殼，請參閱系統(tǒng)說明
安裝		在35 mm DIN安裝導軌上 符合EN 60715：2001
與危險區(qū)域有關的應用數(shù)據(jù)
歐盟型檢驗證書		BAS 01 ATEX 7005
	打標	II（1）GD，I（M1）[Ex ia Ga] IIC，[Ex ia Da] IIIC，[Ex ia Ma] I（-20° C≤Tmb≤60 °C）[區(qū)域中的電路0/1/2]
	電壓	15.75伏
	當前	723毫安
	功率	2.84瓦
供應
	大安全電壓	250伏
串聯(lián)電阻		分鐘 21.8歐
證書		TüV99 ATEX 1484 X
	打標	II 3G Ex nA IIC T4 Gc [區(qū)域2中的設備]
指令一致性
	指令2014/34 / EU	EN 60079-0：2012 + A11：2013，EN 60079-11：2012，EN 60079-15：2010
認可
FM認證
	控制圖	116-0118
UL認證
	控制圖	116-0139（cULus）
IECEx認證		IECEx BAS 09.0142 IECEx BAS 17.0091X
	批準用于	[Ex ia Ga] IIC，[Ex ia Da] IIIC，[Ex ia Ma] I Ex ec IIC T4 Gc

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